【投资项目动态】陈文华教授团队论文成功入选ISSCC 2023大会
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被业界誉为芯片设计界的国际奥林匹克盛会的国际固态电路大会（ISSCC 2023）近日在美国旧金山举行。今年恰逢ISSCC 70周年大庆，也是自2020年疫情以来首次全线下模式召开的芯片设计领域的国际盛会，来自全球工业界与学术界的数千名领域专家齐聚旧金山。
本次大会，清华大学电子工程系教授、杰青、优镓科技首席科学家陈文华教授团队的宽带太赫兹倍频芯片技术成功入围。这也是该团队继去年在ISSCC 2022上发表宽带太赫兹Doherty功放芯片技术之后，在太赫兹芯片领域的又一新突破。
太赫兹波是指频率在0.1~10 THz(波长为3000～30μm)范围内的电磁波，相对于微波和毫米波频段来说，频率更高，在通信、传感、成像等领域拥有众多应用潜力。优镓科技长期致力于高性能氮化镓射频芯片设计，开发了多款高功率GaN功放芯片和宽带太赫兹芯片并提供商业化产品，为客户提供全面的射频前端芯片解决方案。
论文介绍
陈文华教授团队发表了题为“A 200-to-350GHz SiGe BiCMOS Frequency Doubler with Slotline-Based Mode-Decoupling Harmonic Tuning Technique Achieving 1.1-to-4.7dBm Output Power”的论文。硅基宽带太赫兹信号产生是实现低成本、高集成度的高精度雷达和高分辨率成像等系统的重要途径。针对传统硅基太赫兹振荡器和倍频器所面临的带宽受限和输出功率不足问题，团队提出了基于槽线的谐波调谐技术，通过槽线变压器结构为推-推式二倍频器（push-push frequency doubler）在超宽带范围内实现了高平衡度的基波输入和最佳二次谐波调谐，有效地提高了倍频器的工作带宽、输出功率和基波抑制水平。所提出的宽带二倍频器基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺成功流片，在200至350GHz频带内实现了最高4.7dBm的输出功率和最大37dBc基波抑制水平，功率波动仅为3.6dB，其各项性能指标在超宽带范围内达到甚至超过了相似频段的窄带太赫兹倍频芯片。
宽带太赫兹倍频芯片及指标
ISSCC (International Solid-State Circuits Conference)国际固态电路会议始于1953年，是全球学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，被认为是“集成电路设计领域的奥林匹克大会”。ISSCC通常是各个时期国际上最尖端固态电路技术最先发表之地。每年吸引超过3000名来自世界各地工业界和学术界的参会者。2023年ISSCC共录用同行评审论文198篇。
文章来源｜清华大学电子工程系
